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BSS123-7-F中文资料

BSS123-7-F图片

BSS123-7-F外观图

  • 大小:367.31KB
  • 厂家:DIODES
  • 描述:Diodes Incorporated [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR]
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:170mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:6 欧姆 @ 170mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):2V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:60pF @ 25V
  • 功率 - 最大:300mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装:SOT-23-3
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:BSS123-FDITR

BSS123-7-F供应商

更新时间:2023-01-02 02:57:48
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